Polovodičová laserová jednotka
Polovodičový laser (Semiconductor Laser) v roce 1962, inspirovaný úspěchem v roce 1970, dosažení nepřetržitého výkonu při pokojové teplotě. Později zlepšila, dva hetero-křižovatka struktura vyvinutá laserová a okrajová-typ laserové diody (Laserová dioda), a tak dále, jsou široce používány v optických vláken komunikace, optické, laserové tiskárny, laserový skener, laserový označení (laserové ukazovátko), je v současné době největší produkce laserů.
Výhody laserových diod jsou: vysoká účinnost, malý objem, nízká hmotnost a nízká cena. Zvláště více kvantové studny také několik účinnosti-20 ~ 40%, P-N% ~ 25%, vyšší celková energetická účinnost je největší charakteristikou. Kromě toho pokrývá kontinuální výstupní vlnovou délku infračerveného světla na viditelné světlo a impulsy až do 50W výstupu (šířka pulsu 100ns) byly komercializovány, protože laserový radar nebo laserové excitační světlo lze říci, že jsou velmi snadno použitelné příklady.